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p5텔레DBzone24{}사업자디비판매☑️@ TSMC 실리콘밸리서 콘퍼런스 열고 로드맵 공개속도 15%, 전력효율 30% 뛰어난 1.4나노 기술 칩 오는 2028년부터 생산웨이저자 회장 "TSMC 기술 리더십 제조 우수성 제공" 이미지=챗GPT 이미지 젠 생성 【실리콘밸리=홍창기 특파원】 세계 1위 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 대만 TSMC가 오는 2028년에 1.4㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 기술을 적용한 반도체를 생산한다. 1.4나노 공정은 현재의 3나노 공정과 TSMC가 올해 말 생산에 들어가는 2나노 공정을 넘어서는 최첨단 기술이다. TSCM는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 '2025 북미 테크 콘퍼런스' 행사를 개최하고 자사의 최신 로드맵을 공개했다. 이날 행사에서 웨이저자 TSMC 회장은 "TSMC의 기술 리더십과 제조 우수성은 고객의 혁신을 위한 신뢰할 수 있는 로드맵을 제공한다"고 말했다. TSMC가 이날 공개한 1.4나노 공정은 현재의 3나노 공정과 TSMC가 올해 말 생산에 들어가는 2나노 공정을 넘어서는 최첨단 기술이다. TSMC는 내년 말에 1.6나노 공정 기술도 도입할 예정이다. 이와 관련, TSMC 케빈 장 수석부사장은 "1.4나노는 완전한 노드 전환 기반의 차세대 첨단 실리콘 기술"이라고 소개했다. 이어 장 수석부사장은 "1.4나노 공정은 2나노 공정 대비 속도가 15% 빠르고, 전력 소비는 30% 줄어든다"고 설명했다. 트랜지스터 집적도는 1.23배 향상됐다. TSMC는 이 최첨단 공정은 트랜지스터의 성능과 전력 효율을 획기적으로 높인 게이트올어라운드(GAA) 2세대를 기반으로 한다고 전했다. 또 나노플렉스 프로(NanoFlex Pro) 아키텍처로 설계 유연성도 더욱 높일 것이라고 덧붙였다. 나노플렉스 프로는 칩 설계자가 특정 애플리케이션이나 워크로드에 대해 최적의 소비전력·성능·면적(PPA, Power·Performance· Area)을 달성하기 위해 트랜지스터 구성을 세밀하게 조정할 수 있도록 하는 아키텍처다. 아울러 TSMC는 전력선을 웨이퍼 뒷면에 배치해 전력 효율과 반도체 성능을 동시에 높이는 후면전력공급 기술이 적용된 칩은 오는 2029년부터 출시될 예정이라고 덧붙였다. TSMC는 지속적인 기술 업그레이드를 통해 애플과 엔비디아 등을 주요